企业简介
汉磊科技股份有限公司 经销批发的废铬催化剂畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。汉磊科技股份有限公司经销的废铬催化剂品种齐全、价格合理。汉磊科技股份有限公司实力雄厚，重信用、守合同、保证产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，赢得了广大客户的信任。
汉磊科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TWI534583 | 低压差稳压器 | 2016.05.21 | 低压差稳压器，具有电压输出端，并包括第一差动放大器、功率开关、阻抗元件、第二差动放大器、回授电路与讯 |
| 2 | TW200607022 | 垂直式功率金氧半电晶体的制造方法 | 2006.02.16 | 在使用现行技术之情形下，仅有藉由降低装置布局面积以更进一步地增加装置密度的唯一方法。本发明之垂直式功 |
| 3 | TW200607020 | 无边金属线的制造方法 | 2006.02.16 | 一种无边金属线的制造方法，此方法包括：首先，提供一基底，且此基底之表面形成有第一金属层。再于第一金属 |
| 4 | CN106298873A | 半导体元件 | 2017.01.04 | 本发明提供一种具有弯角布局的半导体元件，包括衬底、具有第一导电型的掺杂区以及具有第二导电型的多个条状 |
| 5 | CN106282956A | 工件夹持器 | 2017.01.04 | 本发明提供一种工件夹持器，其包括一内环，内环的内缘可分为一圆弧部与两个第一直线部。第一直线部彼此相连 |
| 6 | CN106158855A | 二芯片集成桥式整流器 | 2016.11.23 | 本发明提供一种二芯片集成桥式整流器，是将进行桥式整流的四个二极管中的两个集成为一个对称式PIN二极管 |
| 7 | CN105990400A | 半导体元件、终端结构及其制造方法 | 2016.10.05 | 本发明提供一种半导体元件、终端结构及其制造方法，包括具有第一导电型的衬底、具有第一导电型的外延层、单 |
| 8 | TW201616602 | 半导体元件及其操作方法以及抑制漏电的结构 | 2016.05.01 | 抑制漏电的结构及包含此结构的半导体元件。此种抑制漏电的结构包括具有第一导电型之基底、具有第一导电型之 |
| 9 | TW201603288 | 横向双扩散金氧半导体元件及减少表面电场的结构 | 2016.01.16 | 减少表面电场的结构及包含此结构的横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型之基 |
| 10 | TWM513454 | 晶圆传输装置 | 2015.12.01 | |
| 11 | TWM513453 | 晶圆传输装置 | 2015.12.01 | |
| 12 | TWI478336 | 减少表面电场的结构及横向双扩散金氧半导体元件 | 2015.03.21 | |
| 13 | CN102769037B | 减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件 | 2015.02.18 | 一种减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型的一基底、具 |
| 14 | CN102769037A | 减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件 | 2012.11.07 | 一种减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型的一基底、具 |
| 15 | CN102751326A | 功率横向双扩散金氧半导体元件及高压元件 | 2012.10.24 | 一种功率横向双扩散金氧半导体元件及高压元件，该功率横向双扩散金氧半导体元件包括基底、多个源极区域、多 |
| 16 | TWI319612 | 互补式金氧半场效电晶体 | 2010.01.11 | 一种互补式金氧半场效电晶体，包括第一传导类型的基底、第一磊晶层、井区及第二传导类型的第二磊晶层、第一 |
| 17 | CN100397598C | 功率金氧半场效晶体管的制造方法 | 2008.06.25 | 本发明是关于一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后 |
| 18 | TW200824036 | 隔离结构的制造方法与绝缘层的保护方法 | 2008.06.01 | 一种隔离结构的制造方法,此方法是先提供基底,基底中具有一层埋入式绝缘层。之后于基底上形成一层罩幕层, |
| 19 | TW200824044 | 互补式金氧半场效电晶体 | 2008.06.01 | 一种互补式金氧半场效电晶体,包括第一传导类型的基底、第一磊晶层、井区及第二传导类型的第二磊晶层、第一 |
| 20 | TW200823999 | 半导体结构的制造方法 | 2008.06.01 | 本发明提出一种半导体结构的制造方法,先提供基底,基底上已形成有闸极结构。然后,于闸极结构一侧之基底中 |
| 21 | TW200824118 | 半导体元件及互补式金氧半场效电晶体 | 2008.06.01 | 一种半导体元件,包括基底、磊晶层、下沈层、主动元件、第一埋入层及第二埋入层。基底具有第一传导类型。磊 |
| 22 | TW200824117 | 半导体元件及及互补式金氧半场效电晶体 | 2008.06.01 | 一种半导体元件,包括第一传导类型的基底、磊晶层、第一下沈层、第一埋入层以及第二传导类型的磊晶层、第二 |
| 23 | TWI294662 | 非挥发性记忆体及其制造方法与抹除方法 | 2008.03.11 | 一种非挥发性记忆体，其系包括控制闸极、浮置闸极、闸氧化层、源极区、汲极区、第一介电层、第二介电层与抹 |
| 24 | TWI284387 | 功率金氧半导体的制造方法 | 2007.07.21 | 一种功率金氧半导体的制造方法，首先提供一基底，且基底中已形成有井区。再于基底上，依序形成第一介电层、 |
| 25 | TW200721488 | 非挥发性记忆体及其制造方法与抹除方法 | 2007.06.01 | 一种非挥发性记忆体，其系包括控制闸极、浮置闸极、闸氧化层、源极区、汲极区、第一介电层、第二介电层与抹 |
| 26 | TWI268610 | 沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法 | 2006.12.11 | 一种沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法，系先在基底上依序形成磊晶层与具有第一开口之罩幕层。之后，于 |
| 27 | TW200638541 | 沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法 | 2006.11.01 | 一种沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法，系先在基底上依序形成磊晶层与具有第一开口之罩幕层。之后，于 |
| 28 | TW200620431 | 以次微米技术制造具有沟渠与金属插塞之侧向射频金氧半导体的方法 | 2006.06.16 | 一种射频侧向金氧半导体的制造方法，此方法包括下列步骤。提供一具有一沟渠区的半导体基底，并在此基底上覆 |
| 29 | CN1770408A | 功率金氧半场效晶体管的制造方法 | 2006.05.10 | 本发明是关于一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后 |
| 30 | TW200614414 | 沟渠式功率金氧半场效电晶体及其制造方法 | 2006.05.01 | 一种沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法，系先在基底上依序形成磊晶层与罩幕层。接着，在罩幕层与磊晶层 |
| 31 | TW200614421 | 功率金氧半场效电晶体的制造方法 | 2006.05.01 | 一种功率金氧半场效电晶体的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后，定义闸极介 |
| 32 | TW200607045 | 功率金氧半导体的制造方法 | 2006.02.16 | 一种功率金氧半导体的制造方法，首先提供一基底，且基底中已形成有井区。再于基底上，依序形成第一介电层、 |
| 33 | TW200607076 | 双层复晶电容层的制造方法 | 2006.02.16 | 一种双层复晶电容层的制造方法，其方法系提供一基底，且基底上已形成有隔离结构。再于基底上形成第一薄导体 |
| 34 | TW200607050 | RF侧向金氧半导体装置的制造方法 | 2006.02.16 | 一种RF侧向金氧半导体装置的制造方法，此方法包括：提供一基底，此基底之表面具有一层闸氧化层。再于闸氧 |
| 35 | TWI244139 | 无边金属线的制造方法 | 2005.11.21 | 一种无边金属线的制造方法，此方法包括：首先，提供一基底，且此基底之表面形成有第一金属层。再于第一金属 |
| 36 | TWI237331 | 垂直式功率金氧半电晶体的制造方法 | 2005.08.01 | 在使用现行技术之情形下，仅有藉由降低装置布局面积以更进一步地增加装置密度的唯一方法。本发明之垂直式功 |
| 37 | TWI236101 | 功率金氧半场效电晶体的制造方法 | 2005.07.11 | 一种功率金氧半场效电晶体的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后，定义闸极介 |
| 38 | TWI236090 | 沟渠式功率金氧半场效电晶体及其制造方法 | 2005.07.11 | 一种沟渠式功率金氧半场效电晶体的制造方法，系先在基底上依序形成磊晶层与罩幕层。接着，在罩幕层与磊晶层 |
| 39 | TW200522212 | 金氧半导体元件及其制造方法 | 2005.07.01 | 一种金氧半导体元件的制造方法，其系首先提供掺杂有第一型杂质之基底，以作为汲极。接着在基底上形成第一型 |
| 40 | TWI222685 | 金氧半导体元件及其制造方法 | 2004.10.21 | 一种金氧半导体元件的制造方法，其系首先提供掺杂有第一型杂质之基底，以作为汲极。接着在基底上形成第一型 |
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